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P—N结是怎样形成的

来源:王泽龙 182 1045 0914时间:2016-09-03 21:39:43
       

开始时,有人把P型材料和N型材料用机械的方法结合在一起,结果都不成功。这说明,PN结升不是将P型半导体与N型半导体简单地连接在一起就可以了,而是要通过各种不同的工艺,使半导体的一部分呈N型,另一部分呈P型。常用的形成卜N结的方法主要有合金法、扩散法、离子注入法和薄膜生长法,其中扩散法是目前硅太阳能光伏电池的P-N结形成的主要方法。
如图2—5所示,这是一块P型和一块N型半导体独立存在时的情况。此时,P型与N型  半导体是各自单独存在的,并没有形成P—N结。从图中可以看出,它们单独存在时,在P型  半导休中,成为载流千的牢穴具有正电荷,--而所生成的阴离子在电量上与它们相等。同理,在N型半导体中也由于电子与阳离子的电量相等而呈中性。
如图2—6所示,当P型与N型两种半导体结合在——起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电广和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。P型区的空穴向N型区扩散,而N型区的电子向P型区扩散。

出自:松下蓄电池